变频器维修IGBT电子元件参数的选择

时间:2012-04-07 13:19来源:妙工原创 作者:汪荻 点击:
⑴Uceo 通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。 Uceo2厂2U 在电源电压为380V的变频器中,应有 Uceo2厂2U*380V=1074.8V,故选用 Uceo=1200V的GTR是适宜的。 ⑵Icm 按额定电流In峰值的2倍来选择 Icm2厂2 In GTR是用电流信号进行驱动的,所需驱动功率较大,故基极

 Uceo 通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。Uceo≥22U 在电源电压为380V的变频器中,应有 Uceo≥22U*380V=1074.8V,故选用 Uceo=1200VGTR是适宜的。

  ⑵Icm 按额定电流In峰值的2倍来选择 Icm≥22 In GTR是用电流信号进行驱动的,所需驱动功率较大,故基极驱动系统比较复杂,并使工作频率难以提高,这是其不足之处。 今天我告诉大家的是MOSFET以及IGBT

 

1 绝缘栅双极晶体管(IGBT IGBTMOSFETGTR相结合的产物,是栅极为绝缘栅结构(MOS结构)的晶体管,它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G

   工作特点是,控制部分与场效应晶体管相同,控制信号为电压信号Uge,输入阻抗很高,栅极电流I≈0,故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同,工作电流为集电极电流I 

2 功率场效应晶体管(POWER MOSFET 它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G

其工作特点是,GS间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小,主电路的漏极电流Id也跟着改变。由于GS间的输入阻抗很大,故控制电流几乎为0,所需驱动功率很小。和GTR相比,其驱动系统比较简单,工作频率也比较高。此外,MOSFET还具有热稳定性好、安全工作区大 等优点。但是,功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢,故在变频器中的应用尚不能居主导地位。

至今,IGBT的击穿电压也已做到1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A,由IGBT作为逆变器件的变频器容量已达到250KVA以上。

   此外,其工作频率可达20KHZ。由IGBT作为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10KHZ以上,故电动机的电源波形比较平滑,基本无电磁噪声。

目前,在新系列的中小容量变频器中,IGBT已处于绝对优势的地位!

   1 变频器须解体,查看内部是否有异常现象.(如:镙丝松动、焊锡脱落、器件松动、器件烧焦、烧煳现象。) 

  2 检查变频器内部易老化器件,如:风扇,功率器件,功率电容,及印板老化现象。 

  3 清理变频器内部粉尘,油污,腐蚀性及导体杂质。对主要印板如:主控板,驱动板,开关电源板。采用全新品进口电子清洁剂进行喷洗,去除其老化层及导电物质。 

 

  4 对变频器主要控制部分进行先进的加膜处理。起到防尘,防老化,防导电物质,防水,及腐蚀性物质。

(责任编辑:妙工科技)
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